Samsung sẽ bắn “phát súng” DDR5 vào cuối năm 2021

194
0

Trên thị trường công nghệ hiện nay, RAM DDR4 đang là ứng cử viên mạnh mẽ và hoạt động hiểu quả nhất trong nhiều trường hợp. Tuy nhiên, mẫu RAM DDR4 đã được ra mắt 6 năm và chúng cũng đi đến giới hạn “tối đa” của hiệu năng rồi. Đã đến lúc các nhà sản xuất cần đưa RAM DDR4 về nghỉ hưu và cho ra thế hệ RAM tiếp theo với hiệu năng cao hơn. Samsung đã nhanh chóng chuẩn bị dây chuyền sản xuất và có kế hoạch cụ thể cho dòng RAM DDR5 vào năm 2021 tới đây.

Theo như Samsung cho biết, dây chuyền sản xuất RAM DDR5 sẽ được hãng sử dụng nhà máy mới đặt tại Pyeongtaek, Hàn Quốc. Thế hệ RAM DDR5 này sẽ được sản xuất bằng công nghệ EUV (extreme ultraviolet) mà hãng đã và đang áp dụng trên dòng sản phẩm RAM DDR4.

Theo Phó giám đốc điều hành mảng Công nghệ và Sản xuất DRAM, Jung-bae Lee thì Samsung sẽ góp phần thúc đẩy phát triển lĩnh vực IT trên toàn cầu thông qua các công nghệ hàng đầu của họ cùng với các loại bộ nhớ dành cho thị trường cao cấp. Phương pháp EUV khác với các phương pháp lithographic truyền thống ở chỗ nó dùng tia cực tím có bước sóng cực ngắn cho phép tạo ra các thiết bị điện từ có kích thước nhỏ hơn và rút ngắn thời gian sản xuất. Với quy trình EUV, Samsung ước tính tốc độ sản xuất các tấm wafer D1a 12 inch sẽ nhanh hơn gấp đôi so với các quy trình sản xuất các loại wafer Dix đời cũ.

Ngoài thông tin liên quan đến thời gian sản xuất thì Samsung không hề tiết lộ thêm bất cứ thông tin gì liên quan đến thế hệ RAM DDR5 của hãng. Tuy nhiên, năm 2019 vừa qua chúng ta đã có tiêu chuẩn chung của RAM DDR5 là tốc độ đạt 32 GBps, thế nhưng mọi thông tin phải đợi đến khi ra mắt chính thức và có sản phẩm trải nghiệm.