Micron tuyên bố ngừng phát triển 4F² DRAM do chi phí cao và giới hạn mật độ, tập trung vào 3D DRAM và tiếp tục mở rộng quy trình 6F² đến năm 2027.
Trong sự kiện webinar công nghệ diễn ra vào ngày 21/10/2026, Scott DeBoer, Chủ tịch kiêm Giám đốc Công nghệ và Sản phẩm của Micron, đã chính thức xác nhận hãng sẽ không đưa công nghệ 4F² DRAM ra thị trường thương mại. Đây là một bước ngoặt bất ngờ khi Micron được cho là đơn vị tiên phong phát minh ra thiết kế tế bào này và đã dành khoảng hai thập kỷ để nghiên cứu, phát triển. Quyết định này đặt Micron vào thế đối đầu trực tiếp với các đối thủ lớn như Samsung và SK hynix, những đơn vị đang đẩy mạnh tiến độ phát triển 4F². Thậm chí, nhà sản xuất Trung Quốc CXMT cũng tuyên bố sẽ tung ra sản phẩm 4F² đầu tiên dưới dạng bộ nhớ máy chủ DDR5 RDIMM vào cuối năm nay. Việc từ bỏ một công nghệ đã đầu tư nguồn lực khổng lồ trong 20 năm cho thấy sự thay đổi trong tư duy chiến lược của Micron, chuyển từ việc tối ưu hóa mật độ trên mặt phẳng sang việc tìm kiếm các giải pháp kiến trúc mới để đáp ứng nhu cầu tăng trưởng của thị trường AI và máy chủ.
Về mặt lý thuyết, công nghệ 4F² sử dụng transistor kênh dọc (vertical channel transistors) để thu nhỏ diện tích mỗi tế bào bộ nhớ (footprint) đi khoảng một phần ba so với cấu trúc 6F² hiện hành. Tuy nhiên, DeBoer lập luận rằng lợi thế mật độ thực tế của 4F² so với 6F² phần lớn là 'huyền thoại' do mật độ đóng gói thực sự bị giới hạn bởi khoảng cách giữa các tụ điện (capacitors), chứ không phải diện tích tế bào. Hơn nữa, quá trình sản xuất 4F² đòi hỏi độ phức tạp cao hơn đáng kể, dẫn đến chi phí gia tăng mà không tương xứng với lợi ích mật độ mang lại. Tại các nút tiến trình (leading-edge nodes) hiện tại, 4F² gặp phải các vấn đề về scaling cơ bản, khiến việc mở rộng quy mô sản xuất trở nên kém khả thi về mặt kỹ thuật và tài chính. Micron đánh giá rằng việc tiếp tục đầu tư vào 4F² không còn là con đường tối ưu để cạnh tranh trong bối cảnh thị trường bộ nhớ đang thắt chặt nguồn cung vào các năm 2027 và 2028, theo các ước tính nội bộ của hãng.
Thay vì chuyển đổi hoàn toàn sang 4F², Micron sẽ tiếp tục tối ưu hóa và mở rộng quy trình 6F² hiện tại. Nút tiến trình 1-delta dự kiến sẽ bắt đầu chạy sản xuất (ramp) tại nhà máy ở Boise, Idaho vào nửa cuối năm 2027. Sau đó, nút tiến trình 1-epsilon sẽ kế thừa và chuyển sang công nghệ ghép nối wafer (wafer bonding) để tiếp tục cải thiện hiệu suất và mật độ. Chiến lược này cho phép Micron duy trì năng lực sản xuất ổn định và kiểm soát chi phí trong khi chờ đợi công nghệ thế hệ mới hoàn thiện. Việc tập trung vào 6F² giúp Micron tận dụng tối đa các dây chuyền sản xuất hiện có, giảm thiểu rủi ro chuyển đổi công nghệ và đảm bảo nguồn cung cho các khách hàng doanh nghiệp và trung tâm dữ liệu trong giai đoạn 2026-2027.
Micron xác định 3D DRAM là lộ trình song song và là hướng đi chiến lược trong tương lai. Công nghệ này cho phép xếp chồng các lớp bộ nhớ theo chiều dọc, vượt qua các giới hạn vật lý của việc thu nhỏ tế bào trên mặt phẳng mà 4F² đang gặp phải. Tuy nhiên, hiện tại vẫn chưa có mốc thời gian cụ thể cho việc thương mại hóa 3D DRAM. Micron khẳng định sẽ chỉ chuyển đổi hoàn toàn sang công nghệ này khi các yếu tố kinh tế (economics) trở nên hợp lý, đảm bảo lợi nhuận biên và khả năng cạnh tranh về giá. Đây là một bước đi đầy rủi ro nếu các đối thủ thành công trong việc sản xuất 4F² với chi phí thấp và quy mô lớn. Tuy nhiên, với tiềm năng mật độ cao hơn và khả năng tích hợp tốt hơn với các kiến trúc AI, 3D DRAM được xem là giải pháp bền vững hơn cho thế hệ bộ nhớ tiếp theo.
Quyết định của Micron tạo ra một thế trận cạnh tranh mới trong ngành DRAM. Trong khi Samsung và SK hynix tiếp tục theo đuổi 4F², Micron sẽ tập trung vào việc tối ưu hóa 6F² và phát triển 3D DRAM, tạo ra sự phân hóa trong các thế hệ công nghệ bộ nhớ. Thị trường có thể chứng kiến sự khác biệt rõ rệt về hiệu năng và giá thành giữa các dòng sản phẩm DRAM của các nhà sản xuất khác nhau. Người dùng doanh nghiệp và các trung tâm dữ liệu sẽ cần cân nhắc kỹ lưỡng các lựa chọn công nghệ để tối ưu hóa chi phí hạ tầng. Việc Micron từ bỏ 4F² cũng gửi đi tín hiệu về sự thay đổi trong tiêu chuẩn công nghiệp, khi mà các giải pháp 3D bắt đầu trở thành trọng tâm chính trong cuộc đua về mật độ và hiệu suất bộ nhớ cho kỷ nguyên AI.
Nguồn tổng hợp:
- techpowerup.com - Micron Walks Away From 4F² DRAM After Two Decades of Research, Bets on 3D DRAM Instead
- tomshardware.com - Micron pulls the plug on future 4F² DRAM after two decades of research in dramatic shift — company says architecture offers no meaningful density advantages, increases manufacturing complexity and costs, and has fundamental scaling limitations
Ảnh: semiwiki.com, encrypted-tbn0.gstatic.com, heise.de, blog.baldengineering.com
OpenAI xác nhận GPT-5.6 Sol đã giúp phát hiện lỗ hổng PHP nghiêm trọng tồn tại 2 năm, ảnh hưởng đến 70% website. Các nhà nghiên cứu đã tạo exploit trong 2 tuần.
Microsoft công bố chip AI Maia 300 dùng tiến trình TSMC N2P, trang bị 288GB HBM4 với băng thông 18TB/s, dự kiến triển khai quy mô đa gigawatt từ 2027.
LTO Alliance công bố lộ trình LTO-14 với dung lượng 365TB, giảm nhẹ so với kế hoạch cũ để ưu tiên độ tin cậy. LTO-10 hiện đạt 40TB, duy trì vị thế lưu trữ lạnh hiệu quả.
TrendForce dự báo xuất khẩu CPU Server tăng 31% năm 2026 và hơn 40% năm 2027 nhờ AI Agents. Thị phần Arm dự kiến đạt 30% vào 2027, thách thức thế độc quyền của x86.
Dell chính thức bán XPS 16 Creator Edition toàn cầu với màn hình OLED 1.600 nits, chip NVIDIA RTX Spark N1X và tùy chọn RAM lên tới 128GB, khởi điểm 3.799 USD.
LattePanda Sigma 2 ra mắt với Intel Core Ultra X7 358H và GPU Arc B390, đạt 180 TOPS AI. Thiết kế 146x102mm tích hợp 2 cổng 10GbE và Thunderbolt 4 cho hệ thống nhúng.
Micron tuyên bố ngừng phát triển 4F² DRAM do chi phí cao và giới hạn mật độ, tập trung vào 3D DRAM và tiếp tục mở rộng quy trình 6F² đến năm 2027.
Micron tuyên bố ngừng phát triển 4F² DRAM do chi phí cao và giới hạn mật độ, tập trung vào 3D DRAM và tiếp tục mở rộng quy trình 6F² đến năm 2027.
