Samsung và SK Hynix đẩy mạnh nâng cấp nhà máy tại Trung Quốc để sản xuất NAND Flash 286 và 240 lớp, đối mặt với các quy định xuất khẩu thiết bị của Mỹ và sự cạnh tranh từ YMTC.
Samsung Electronics và SK Hynix đang tiến hành các bước nâng cấp quan trọng tại các nhà máy ở Trung Quốc nhằm mục đích sản xuất các thế hệ chip NAND Flash tiên tiến hơn. Đây là một động thái chiến lược nhằm duy trì vị thế cạnh tranh trong thị trường bộ nhớ bán dẫn toàn cầu, đặc biệt là trong bối cảnh nhu cầu về dung lượng lưu trữ cao đang tăng mạnh. Cả hai nhà sản xuất Hàn Quốc này đều đang tập trung vào việc nâng cấp công nghệ sản xuất lên mức 200 lớp trở lên. Mục tiêu chính là tối ưu hóa hiệu suất và mật độ lưu trữ của các chip NAND, từ đó đáp ứng tốt hơn nhu cầu của các thiết bị di động, máy tính và trung tâm dữ liệu. Việc nâng cấp này không chỉ đơn thuần là thay thế thiết bị mà còn bao gồm việc cải thiện quy trình sản xuất để đảm bảo chất lượng và năng suất. Cả Samsung và SK Hynix đều nhận thức rõ tầm quan trọng của việc duy trì năng lực sản xuất tại Trung Quốc, một thị trường có nhu cầu lớn và tiềm năng tăng trưởng cao.
Mặc dù có kế hoạch nâng cấp, cả Samsung và SK Hynix đều phải đối mặt với những thách thức đáng kể từ các quy định xuất khẩu thiết bị bán dẫn của Mỹ. Kể từ năm 2022, chính phủ Mỹ đã siết chặt kiểm soát đối với việc xuất khẩu các thiết bị sản xuất chip tiên tiến sang Trung Quốc, bao gồm cả các thiết bị khắc (etching) và in quang (lithography). Cả hai công ty đều cần phải xin giấy phép từ chính phủ Mỹ để lắp đặt các thiết bị do Mỹ sản xuất tại các nhà máy ở Trung Quốc. Bộ Thương mại Mỹ đã nhiều lần từ chối hoặc trì hoãn việc cấp phép, gây khó khăn cho quá trình nâng cấp và mở rộng sản xuất. Tình trạng này đã buộc Samsung và SK Hynix phải tìm kiếm các giải pháp thay thế, bao gồm việc sử dụng thiết bị từ các nhà cung cấp khác hoặc điều chỉnh quy trình sản xuất để phù hợp với các thiết bị được phép nhập khẩu. Tuy nhiên, điều này cũng làm tăng chi phí và thời gian thực hiện dự án.
Samsung Electronics đã đặt ra mục tiêu cụ thể cho nhà máy tại Xi'an, Trung Quốc, với kế hoạch sản xuất NAND Flash 286 lớp. Đây là thế hệ NAND tiên tiến nhất hiện nay, mang lại hiệu suất và dung lượng lưu trữ vượt trội so với các thế hệ trước. Samsung dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất NAND 286 lớp tại Xi'an vào cuối năm nay, với mục tiêu đạt công suất 5.000 wafer mỗi tháng. Đây là một bước tiến quan trọng trong nỗ lực duy trì vị thế dẫn đầu trong thị trường NAND Flash. Việc sản xuất NAND 286 lớp tại Trung Quốc cũng giúp Samsung giảm thiểu rủi ro từ các quy định xuất khẩu của Mỹ, đồng thời tận dụng lợi thế về chi phí lao động và hạ tầng tại thị trường này. Tuy nhiên, quá trình này vẫn cần phải tuân thủ các quy định nghiêm ngặt về an ninh và công nghệ.
SK Hynix cũng không kém cạnh khi công bố kế hoạch nâng cấp nhà máy tại Dalian, Trung Quốc, để sản xuất NAND Flash 240 lớp. Đây là thế hệ NAND tiên tiến, mang lại hiệu suất cao và độ tin cậy tốt hơn so với thế hệ 192 lớp hiện tại. SK Hynix dự kiến sẽ hoàn thành quá trình nâng cấp và bắt đầu sản xuất NAND 240 lớp tại Dalian vào năm tới. Mục tiêu là đạt công suất sản xuất cao, đáp ứng nhu cầu thị trường và cạnh tranh với các đối thủ như Samsung và Kioxia. Việc nâng cấp nhà máy Dalian cũng giúp SK Hynix duy trì vị thế cạnh tranh trong thị trường NAND Flash, đặc biệt là trong phân khúc bộ nhớ cho thiết bị di động và trung tâm dữ liệu. Tuy nhiên, công ty cũng phải đối mặt với những thách thức tương tự như Samsung, bao gồm các quy định xuất khẩu của Mỹ và sự cạnh tranh từ các nhà sản xuất Trung Quốc.
Trong bối cảnh Samsung và SK Hynix đang nỗ lực nâng cấp nhà máy tại Trung Quốc, các nhà sản xuất nội địa như YMTC (Yangtze Memory Technologies) cũng đang nhanh chóng tiến bộ trong công nghệ NAND Flash. YMTC đã đạt được những thành tựu đáng kể trong việc sản xuất NAND 232 lớp, một công nghệ tiên tiến tương đương với các thế hệ NAND của Samsung và SK Hynix. Sự cạnh tranh từ YMTC đã tạo áp lực lớn lên các nhà sản xuất Hàn Quốc, buộc họ phải đẩy nhanh tiến độ nâng cấp và cải thiện hiệu suất sản xuất. Đồng thời, YMTC cũng đang tận dụng lợi thế về chi phí và thị trường nội địa để mở rộng thị phần, gây khó khăn cho Samsung và SK Hynix trong việc duy trì vị thế dẫn đầu. Tuy nhiên, Samsung và SK Hynix vẫn có lợi thế về công nghệ và kinh nghiệm sản xuất, đặc biệt là trong phân khúc NAND Flash cao cấp. Việc nâng cấp nhà máy tại Trung Quốc sẽ giúp họ duy trì cạnh tranh và đáp ứng nhu cầu thị trường, đồng thời giảm thiểu rủi ro từ các yếu tố địa chính trị.
Thị trường NAND Flash đang chứng kiến sự tăng trưởng mạnh mẽ, đặc biệt là nhờ vào nhu cầu từ các ứng dụng AI và trung tâm dữ liệu. Các chip NAND tiên tiến như 286 lớp và 240 lớp sẽ đóng vai trò quan trọng trong việc cung cấp dung lượng lưu trữ lớn và hiệu suất cao cho các hệ thống AI. Nhu cầu về NAND Flash sẽ tiếp tục tăng trong những năm tới, đặc biệt là trong phân khúc bộ nhớ cho thiết bị di động, máy tính và trung tâm dữ liệu. Việc nâng cấp nhà máy tại Trung Quốc sẽ giúp Samsung và SK Hynix đáp ứng tốt hơn nhu cầu này, đồng thời duy trì vị thế cạnh tranh trên thị trường toàn cầu. Tuy nhiên, các nhà sản xuất cũng phải đối mặt với những thách thức từ các yếu tố địa chính trị và cạnh tranh. Việc tuân thủ các quy định xuất khẩu của Mỹ và cạnh tranh với các nhà sản xuất Trung Quốc sẽ là những yếu tố quan trọng quyết định thành công của Samsung và SK Hynix trong thị trường NAND Flash.
Nguồn tổng hợp:
- ithome.com - 三星电子、SK 海力士升级中国工厂，生产更先进闪存芯片
Ảnh: news.ifeng.com, 781203.com, i.guancha.cn, zhuanlan.zhihu.com
Gigabyte đăng ký 40 tên model Z990 cho nền tảng Intel Nova Lake (LGA1954). Danh sách bao gồm AORUS XTREME, dòng AERO WOOD và nhiều biến thể DUO X, dự kiến ra mắt cùng CPU 28 nhân trong Q1 2027.
NVIDIA ra mắt DSX Pod, giải pháp đóng gói toàn bộ AI Factory vào container, rút ngắn thời gian triển khai từ 6 tháng xuống 14 ngày, tối ưu hóa hạ tầng AI cho doanh nghiệp.
HPE nâng cấp HPE Private Cloud AI với MCP Servers, khả năng kết hợp GPU H200 và RTX PRO 6000, cùng rack 256 CPU Vera cho tác vụ AI agent, mang lại hiệu năng cao và kiểm soát chặt chẽ.
Google Cloud và NVIDIA công bố khả năng sử dụng chung (General Availability) cho các instance A5X được đẩy mạnh bởi NVIDIA Vera Rubin NVL72. Hệ thống này tích hợp ConnectX-9 SuperNICs và công nghệ làm mát lỏng thế hệ 4, hỗ trợ quy mô lên đến 960.000 GPU cho các tác vụ AI Agent và Reinforcement Learning.
Lenovo Yoga Pro 15 RTX Spark: Laptop Windows on ARM đầu tiên với chip NVIDIA RTX Spark N1X, 128GB RAM thống nhất, GPU Blackwell 6144 CUDA Cores và màn hình OLED 165Hz.
Elon Musk xác nhận SpaceX đang lắp đặt 200.000 GPU Nvidia GB300 mỗi tháng. Mục tiêu đạt 13-20 GW công suất tính toán AI vào cuối 2027, chuyển đổi sang kiến trúc Vera Rubin.
QNAP giới thiệu hai thiết bị mở rộng lưu trữ JBOD sử dụng chuẩn USB4: TL-D810TC4 (8 bay) và TL-R1210TC4-RP (12 bay). Hỗ trợ tốc độ 40 Gbps, tương thích đa nền tảng, tối ưu cho biên tập video và lưu trữ doanh nghiệp.
NVIDIA và Groq đang phát triển thế hệ LPU tiếp theo sử dụng công nghệ 3D Stacked DRAM thay thế SRAM thuần túy. Mục tiêu là tăng dung lượng bộ nhớ lên hàng TB để xử lý các mô hình AI có tham số cực lớn, đồng thời duy trì băng thông cao.
